中國漢族人群DNA雙鏈斷裂修復基因多態(tài)與腦膠質瘤遺傳易感性關聯(lián)研究.pdf

1、膠質瘤是最常見的一類原發(fā)性腦腫瘤。盡管膠質瘤的病因目前還不十分明確，但流行病學資料顯示電離輻射是被確認的危險因素之一。電離輻射可以造成包括DNA單、雙鏈斷裂(DSBs)在內的各種形式的DNA損傷。而DNA損傷(尤其是DSB)遺留不修復，有可能導致染色體畸變，進而引發(fā)疾病或癌癥。然而，受到電離輻射暴露的個體中僅一小部分發(fā)生膠質瘤，提示膠質瘤的發(fā)生可能與個體的遺傳易感性也有關。越來越多的流行病學證據(jù)顯示DNA修復基因多態(tài)是導致個體間DNA修

2、復能力和癌癥發(fā)生風險差異的主要原因。近來，有報道稱膠質瘤患者對γ射線誘導的染色體斷裂易感，而這種易感性可能受到DSB基因的遺傳變異的影響。因此，DNA雙鏈損傷修復基因遺傳多態(tài)有可能與膠質瘤遺傳易感性相關。 DNA雙鏈斷裂損傷修復有兩種主要方式：同源重組(HR)和非同源末端連接(NHEJ)。這兩種DSB修復途徑既獨立，功能上又互補。DNA DSB修復涉及許多基因參與，而每個基因在其中都扮演著獨特的角色。XRCC3基因編碼蛋白參與D

3、NA雙鏈斷裂/重組修復，并且作為Rad-51相關蛋白家族的成員參與DNA損傷同源重組修復，以維持染色體穩(wěn)定性。在NHEJ修復過程中，首先DNA依賴蛋白激酶復合體識別DSB，并且隨后將LIG4/XRCC4復合體招募到DNA末端，并使末斷發(fā)生連接反應。DNA-PK由Ku蛋白異二聚體(即Ku70/Ku80，分別由XRCC6/XRCC5基因編碼)調節(jié)亞基和DNA-PKcs催化亞基組成。DNA-PK不僅參與IR誘導的DNA損傷修復過程，而且在B細

4、胞和T細胞的分化過程中參與V(D)J重組。DNA-PK缺陷小鼠對IR高度敏感，而且表現(xiàn)出嚴重的聯(lián)合免疫缺陷。 有研究顯示，DSB修復基因多態(tài)參與組成個體的腫瘤遺傳易感性，與多種腫瘤的發(fā)生相關。然而，還很少有關于DSB修復基因多態(tài)和腦膠質瘤發(fā)生風險的報道。因此，本研究旨在探討中國漢族人群中XRCC3，XRCC5，XRCC6和XRCC7基因多態(tài)與腦膠質瘤的發(fā)生風險是否存在相關。此外，涉及蛋白間相互作用的DNA-PK異源三聚體，有可能