電針對腦缺血再灌注大鼠腦內血管新生影響的研究.pdf

1、目的:缺血性腦血管病遺留的神經功能障礙一直是困擾人類醫(yī)學的難題。隨著對缺血性腦血管病研究的深入，發(fā)現腦缺血后相當部分的血管能自然再通或溶栓治療后血流恢復再通，但隨之出現再灌注損傷。治療性血管新生方法的出現，為缺血性腦血管病的治療開辟了一條通向缺血性腦血管病血管再生的新途徑。研究發(fā)現，適當地調控治療性血管生成的進程對有效的改善腦缺血很有必要。血管新生的調節(jié)途徑主要包括兩條：一條是血管內皮生長因子(vascular endothelialg

2、rowth factor，VEGF)及其受體(flt-1等)調節(jié)通路，另一條是血管生成素(angiopoietin，Ang)及其受體(Tie)調節(jié)通路，這兩條途徑協(xié)同作用，共同促進機體血管形成。血管內皮生長因子是已知的促進血管生長作用最強的細胞因子，VEGF/VEGFR系統(tǒng)激活使內皮細胞增生并誘導新生血管形成，新生血管從正常腦組織向半暗帶及缺血中心區(qū)延伸，增加受累腦組織再灌注及供氧量，從而減輕缺血再灌注損傷。Ang-1/Tie-2調節(jié)通

3、路對于血管生成過程中血管的成熟與穩(wěn)定、調控血管的完整性有重要意義。血管生成素-(Ang-1)可以抑制血管內皮細胞的凋亡，減輕腦缺血后血腦屏障的滲漏從而減小梗死體積，促進血管內皮細胞的出芽與遷徙。本課題選用大腦中動脈栓塞制備腦缺血再灌注模型，觀察電針對VEGFmRNA、Ang-1mRNA/Tie-2和對腦內血管新生的影響，探討電針抗腦缺血再灌注損傷的可能機制。 方法:采用SD大鼠隨機分為模型組(按缺血再灌注1d、2d、4d和8d分

4、4個亞組)、電針組(按缺血再灌注1d、2d、4d和8d分別加電針刺激分為4個亞組)、假手術組、正常對照組，每組10只，共100只。采用改進的Longa線栓法，制備大腦中動脈線栓法腦缺血再灌注模型。并采用Zea-Longa5級評分標準對模型大鼠神經功能障礙評分，只有神經功能障礙在1級以上的大鼠才能保留下來。電針組選用疏密波刺激“百會”、“水溝”、雙側“足三里”穴。運用免疫組化法檢測各組大鼠右側大腦皮層的CD34陽性微血管密度和Tie-2表

5、達的變化；運用原位雜交法檢測各組大鼠右側大腦皮層中的VEGFmRNA和Ang-1mRNA表達水平；并對各指標的時程變化和電針干預的影響進行分析。所有數據均輸入計算機，以SPSS11.0軟件統(tǒng)計包處理。 結果:(1)模型組和電針組大鼠造模后出現不同程度的神經功能缺損，腦缺血再灌注后各時點上，電針組各亞組神經功能缺損評分明顯低于模型組相應亞組的評分(P＜0.05)，表明電針可以減輕腦缺血再灌注后的神經功能缺損；(2)模型組和電針組各

6、亞組大鼠缺血側大腦皮層均可見微血管增生，各時相電針組微血管密度高于模型組(P＜0.05)，說明電針能促進腦缺血再灌注后的血管新生；(3)模型組和電針組各亞組大鼠缺血側大腦皮層VEGFmRNA表達水平升高，與正常組和假手術組比較有明顯差異(P＜0.05)，電針組各亞組大鼠缺血側大腦皮層VEGFmRNA表達水平明顯高于相應時相的模型組亞組，兩組相同時相亞組間比較有顯著性差異(P＜0.05)，說明電針能上調腦缺血再灌注后大腦皮層的VEGFmR

7、NA表達水平。(4)模型組和電針組缺血再灌注2d、4d、8d亞組大鼠缺血側大腦皮層Ang-1mRNA和Tie-2表達水平升高，與正常組和假手術組比較有明顯差異(P＜0.05)，電針組缺血再灌注2d、4d、8d各亞組大鼠缺血側大腦皮層Ang-1mRNA和Tie-2表達水平明顯高于相應時相的模型組亞組，兩組相同時相亞組間比較有顯著性差異(P＜0.05)，說明電針能上調腦缺血再灌注后大腦皮層的Ang-1mRNA和Tie-2表達水平。