單晶硅各向異性腐蝕的計算機微觀模擬.pdf

1、單晶硅各向異性腐蝕技術是MEMS加工的核心工藝之一,精確地對各向異性腐蝕的結果進行計算機模擬,對于MEMS計算機輔助設計系統(tǒng)的建立和MEMS工藝水平的提高具有重要的意義.本文在VC環(huán)境下,根據連續(xù)CA算法抽象了硅各向異性腐蝕模型,利用OpenGL技術,建立了硅各向異性腐蝕的三維動態(tài)模擬系統(tǒng),從微觀角度模擬了硅各向異性腐蝕的動態(tài)過程,并據此模擬系統(tǒng),針對凸角結構分析不同圖形的硅各向異性腐蝕的補償方法,配合實驗加以驗證,取得了較好的效果.本

2、文設計的模擬系統(tǒng),利用VC語言編程實現(xiàn)圖形與用戶的交互操作過程及腐蝕模型的抽象;利用OpenGL技術實現(xiàn)圖形的繪制和腐蝕過程的三維動態(tài)顯示.腐蝕模型的抽象分為腐蝕襯底的創(chuàng)建和腐蝕算法的實現(xiàn)兩部分,腐蝕襯底通過由用戶輸入初始襯底的晶胞數來創(chuàng)建.在腐蝕算法的實現(xiàn)中,把硅各向異性腐蝕的過程看作硅原子的移除過程,而原子的移除由和原子相連的四個價鍵狀態(tài)決定.根據腐蝕的微觀模型理論,價鍵斷裂速率由晶面鍵密度和表面激活能兩方面決定,其中腐蝕液濃度和溫