直拉單晶硅內(nèi)吸雜研究.pdf

1、浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文直拉單晶硅內(nèi)吸雜研究姓名：湯艷申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師：闕端麟楊德仁2002.6.1浙篷大學(xué)磚榜辯雷家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室碩擘譴論文區(qū)和A缺陷區(qū)，OSFring區(qū)很難得到較好的潔凈區(qū)，而鼠氧沉淀的薰較小。這是因?yàn)樵?SFring區(qū)的這些大尺寸原生氧沉淀無法在第一步離溫遇火過程中被溶解，導(dǎo)致了潔凈區(qū)難阻生成；程voids醚和A～缺陷區(qū)釃原鴦氧沉淀盡管尺寸較小，偶密度要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于0SF—ring區(qū)，所黻在低溫長

2、時(shí)瀚的邋炙過程中麓充分長大，鼠蕊導(dǎo)致了程隨藉的第三步高溫運(yùn)火過程中氧浚淀豢要離于OSF—ring囂。此鳋，本文jc重囊摻懿硅片靂Ramping工藝進(jìn)行內(nèi)吸雜處理，簪交不同豹囂湛速率下重?fù)焦杵o凌吸袈效慕；羹摻硼攆晶在27]／min囂濕速率豹Ramping處理中縟到了潔凈區(qū)，恧在l℃／min和0。5。C／min的升溫速率Ramping處理中沒有發(fā)現(xiàn)潔凈區(qū)。說明較快的升溫速率使得氧沉淀的長大速率小于氧沉淀核心臨界形核半徑長大的速度，升溫過程