基于記憶元件的非線性電路特性研究.pdf

1、記憶元件是指具有記憶特性的元器件,它包括憶阻器、憶容器以及憶感器。這三種器件都是非線性器件,其狀態(tài)取決于該器件的歷史狀態(tài),且當(dāng)輸入正弦信號(hào)時(shí),憶阻器的i-v曲線、憶容器的q-v曲線和憶感器的i-φ曲線都是滯回曲線。記憶元件因其獨(dú)特的性質(zhì),被廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)、人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、非線性科學(xué)等領(lǐng)域。
　　本文對(duì)基于記憶元件的非線性電路進(jìn)行了研究,主要進(jìn)行了以下幾個(gè)方面的工作:
　　1.根據(jù)憶阻器原理,構(gòu)建了二階以及三階憶阻器模擬電路,并

2、在此基礎(chǔ)上通過二端口網(wǎng)絡(luò)將二階以及三階憶阻器轉(zhuǎn)換成對(duì)應(yīng)的二階以及三階憶容器模擬電路。仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在輸入正弦信號(hào)時(shí),得到的憶阻器和憶容器都具有滯回特性,滿足憶阻器和憶容器的性質(zhì)。
　　2.研究了基于二階憶容器的RC低通濾波電路的濾波特性。仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該電路可以通過低頻信號(hào),對(duì)高頻信號(hào)具有較強(qiáng)的抑制作用;且該濾波電路與傳統(tǒng)RC低通濾波電路相比,具有截止頻率可變的特性。
　　3.設(shè)計(jì)了一種基于憶阻器的Duffing