細胞自噬在Seipin突變所致脂代謝異常和α粒子輻射旁效應中的作用.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、自噬是細胞應對胞內和胞外刺激的分子細胞學過程。本論文主要討論細胞自噬在細胞受到內部刺激(脂代謝相關基因突變)及外部刺激(α粒子輻照)后所起的作用。
  基因突變所表達的異常蛋白是一種常見的胞內應激因素。seipin為定位于內質網的膜蛋白,其糖基化位點突變使蛋白質錯誤折疊,導致脂質代謝異常。我們通過體外轉染實驗,研究自噬系統(tǒng)對seipin基因糖基化位點突變導致脂滴形態(tài)異常的影響。實驗中,用糖基化位點突變的seipin質粒與表達自噬體

2、標分子GFP-LC3質粒共轉染細胞,Nile Red(尼羅紅)用來示蹤細胞內脂滴,進行免疫熒光、免疫印跡以及流式細胞術檢測分析。研究發(fā)現(xiàn),在細胞中過表達突變seipin能改變GFP-LC3的亞細胞分布,致胞漿出現(xiàn)大量空泡,GFP-LC3與突變體seipin的亞細胞分布高度重合,細胞自噬系統(tǒng)被激活;并且,突變seipin使胞內被Nile Red染色的彌散小脂滴融合成大脂滴;抑制細胞自噬系統(tǒng)更易于使轉染突變seipin的細胞內出現(xiàn)巨大空泡;

3、蛋白質糖基化抑制劑能模擬突變seipin誘導的胞內變化,使轉染正常型seipin質粒的細胞出現(xiàn)與轉染突變體seipin質粒的細胞類似的形態(tài)和生化學改變。以上結果顯示,基因突變干擾脂滴正常形態(tài)學及代謝功能,而自噬則作為一種代償性性反應參與胞內異常脂滴的降解過程。
  在胞外刺激中,輻射刺激是一種很重要的物理因素。輻射損傷已被證實發(fā)生在非直接受照射細胞,稱之為輻射旁效應,研究其過程和機制對輻射防護和精確放療有重要意義。目前為止,細胞自

4、噬與輻射旁效應的關系很少被研究。旁效應可以通過細胞間縫隙連接(GJIC)介導。我們發(fā)現(xiàn),細胞在低劑量α粒子照射下能誘導輻照區(qū)及旁區(qū)細胞自噬,參與組成細胞間縫隙連接(GJIC)的關鍵組成分子connexin43是細胞自噬系統(tǒng)的底物,并且能介導輻照區(qū)細胞產生的ROS向旁區(qū)細胞傳遞。輻照區(qū)細胞生成的ROS是輻照區(qū)和旁區(qū)細胞自噬的觸發(fā)因素。高劑量輻照誘導的ROS抑制細胞自噬,升高connexin43蛋白水平,促進輻照區(qū)細胞產生的ROS向旁區(qū)細胞

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