磁場(chǎng)閉合狀態(tài)對(duì)磁控濺射沉積純Cr鍍層生長(zhǎng)程的影響研究.pdf

1、本論文通過(guò)調(diào)整置多個(gè)磁控管極性于真空腔體周邊均布條件下磁控管集合體所體現(xiàn)的磁場(chǎng)閉合狀態(tài)，在不同沉積階段于單晶硅基體上制備了純金屬Cr鍍層。通過(guò)對(duì)不同沉積階段鍍層組織結(jié)構(gòu)和性能的檢測(cè)分析，研究不同磁場(chǎng)閉合狀態(tài)對(duì)純Cr鍍層生長(zhǎng)過(guò)程(形梭、晶粒合并、連續(xù)膜生成和厚膜生長(zhǎng))的影響及機(jī)理。本次研究為磁場(chǎng)閉合狀態(tài)對(duì)鍍層生長(zhǎng)和磁控濺射機(jī)理影響的深入研究有重要的意義，并且對(duì)選擇合透的磁場(chǎng)閉合狀態(tài)優(yōu)化鍍層結(jié)構(gòu)和磁控濺射設(shè)備改進(jìn)起到一定的指導(dǎo)作用。

2、　　研究結(jié)果表明：隨著磁場(chǎng)閉合程度的增加，鍍層沉積速率減小，基體偏流增大，離子轟擊對(duì)基體表面及鍍層結(jié)構(gòu)的轟擊效應(yīng)和改善作用增強(qiáng)，致使純Cr鍍層形核速率減小，鍍層晶粒尺寸增大，鍍層組織結(jié)構(gòu)和擇優(yōu)生長(zhǎng)趨勢(shì)發(fā)生明顯變化。
　　在三種磁場(chǎng)閉合狀態(tài)下，鍍層生長(zhǎng)均經(jīng)歷表面粗化和晶粒長(zhǎng)大的過(guò)程，但隨著磁場(chǎng)閉合程度的增加，沉積純Cr鍍層由稀疏粗大的柱狀晶組織轉(zhuǎn)變?yōu)檩^致密的柱狀晶組織，進(jìn)麗轉(zhuǎn)化為致密的無(wú)明顯柱狀晶體組織，鍍層中空隙和缺陷減少，表面粗