單分散納米氫氧化鎂晶須形成機(jī)制研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、納米氫氧化鎂晶須是一種新型綠色功能材料,具有表面能低、機(jī)械性能優(yōu)良、彈性模量較高等特性。用作復(fù)合材料添加劑不僅可以提高材料的力學(xué)性能,還能有效提高材料的阻燃、抑煙性能。目前,對于納米氫氧化鎂晶須的制備研究多處于實(shí)驗(yàn)室階段,對于其形成機(jī)制的研究尚未見文獻(xiàn)報(bào)道。本課題主要采用水熱合成法來制備單分散納米級氫氧化鎂晶須,并對其形成機(jī)制進(jìn)行探討。
  本文以菱鎂礦制備出的亞微米級堿式硫酸鎂晶須(MgSO4·5Mg(OH)2·3H2O簡稱MO

2、S)為原料,NaOH為沉淀劑,采用水熱法制備單分散納米氫氧化鎂晶須。采用單因素實(shí)驗(yàn)法,探討MOS初始料漿濃度、NaOH/MOS摩爾比、水熱反應(yīng)溫度、反應(yīng)時(shí)間、攪拌轉(zhuǎn)速、助劑種類及添加量、MOS性能等因素對制備產(chǎn)物性能的影響。利用SEM、XRD、EDS、FT-IR、TG-DSC等先進(jìn)的測試手段對制備產(chǎn)物的微觀形貌、物相組成、元素含量、表面基團(tuán)、熱穩(wěn)定性進(jìn)行了測試分析;應(yīng)用統(tǒng)計(jì)學(xué)規(guī)律,以晶須總數(shù)≥100為統(tǒng)計(jì)總數(shù),單根晶須占晶須總數(shù)的百分比

3、稱為單根晶須含量,以此來表征納米氫氧化鎂晶須的分散性。通過對各影響因素的不斷優(yōu)化設(shè)計(jì),得出最佳制備參數(shù)為:MOS前驅(qū)物平均直徑≤200nm、MOS前驅(qū)物平均長徑比>100、MOS初始料漿濃度0.03mol/kg、反應(yīng)溫度180℃、反應(yīng)時(shí)間4h、NaOH/MOS摩爾比4.5:1、攪拌轉(zhuǎn)速100r/min、添加劑種類為硬脂酸鈉、硬脂酸鈉/MOS質(zhì)量比2%。最佳制備條件下產(chǎn)物平均直徑85nm,平均長度14μm,平均長徑比>100,晶須直徑D在

4、80~95nm范圍占統(tǒng)計(jì)晶須總數(shù)的57%,晶須長度L在10~15μm范圍占統(tǒng)計(jì)晶須總數(shù)的66%,長徑比L/D在100~180范圍占統(tǒng)計(jì)晶須總數(shù)的70%;合成產(chǎn)物為納米Mg(OH)2晶須且純度較高;晶須的熱分解溫度范圍為318~490℃,在380~420℃之間熱分解速率最快。
  此處為公式
  在最佳實(shí)驗(yàn)條件下,通過過程取樣,取出不同時(shí)刻的反應(yīng)液,測得溶液中OH-和SO42-的濃度,根據(jù)結(jié)晶動(dòng)力學(xué)原理,利用MATLAB軟件和

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