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文檔簡介
1、本文首先運用邊界元方法計算靜態(tài)電壓下發(fā)生器的場強分布,根據計算的場強對發(fā)生器進行優(yōu)化設計,選擇了最適合產生等離子體的發(fā)生器類型與結構參數,而后再進行放電實驗來驗證。從實驗結果來看,這一方法能夠較好地解決等離子體發(fā)生器研制問題,從而有希望能夠產生與電磁波有明顯作用效果的等離子體。從計算得到電場分布圖,本文對梳狀電極沿面介質阻擋放電行為進行了分析與推斷,對于單面梳狀電極的發(fā)生器,沿著介質板法向方向的位置上電場強度下降很快,這也決定了放電產生
2、的等離子體發(fā)光厚度有限。本文應用輝光放電的捕獲機制模型對梳狀電極沿面放電發(fā)生器產生輝光放電進行了數值模擬。從數值模擬的結果來看,在確定的發(fā)生器電極結構下,當電壓的峰-峰值電壓為9kV 時,發(fā)生沿面輝光的條件是電壓頻率至少為9kHz,而當頻率為1MHz 時,沿面放電將出現絲狀放電的模式,因而這一模擬結果對沿面放電發(fā)生器的研制有很重要的指導意義。根據數值模擬的結果,對沿面放電發(fā)生器進行了放電實驗。實驗中電源輸出的電壓波形為交流正弦波,在峰
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