磁控濺射Ti摻雜及Ti_Al共摻ZnO薄膜結構及性能的研究.pdf

1、ZnO作為一種新型的半導體材料，兼具有光、電、鐵電、壓電等特性，近幾十年，成為備受關注的新型功能材料。本文采用射頻磁控濺射技術在硅和玻璃基底上分別沉積了Ti摻雜ZnO(TZO)薄膜和Ti_Al共摻雜ZnO(TAZO)薄膜。分別利用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)、UV-3600紫外-可見分光光度計(UV/VIS)光學測試系統(tǒng)、HMS-2000霍爾效應測試系統(tǒng)等多種表征手段，研究了不同Ti摻雜量、濺射功率和氧分壓對TZO薄膜

2、微觀結構和光電性能的影響，以及不同Al摻雜量、氧分壓對TAZO薄膜微觀結構和光電性能的影響。研究結果如下:
　　XRD檢測發(fā)現(xiàn)Ti和Ti_Al摻雜ZnO薄膜均為六角纖鋅礦結構，具有良好的c軸擇優(yōu)取向。當Ti摻雜為3at％時，TZO薄膜的(002)衍射峰具有最小的半高寬，這是因為Ti摻雜在一定程度上刺激了TZO薄膜晶粒的生長，使得薄膜結晶質量提高，此時為2.08×10-3Ω·cm，此時載流子濃度為1.37×1019·cm-3;當Ti