trench mosfet 的研究與進(jìn)展

1、1“半導(dǎo)體技術(shù)”2007年第32卷第4期技術(shù)論文“摘要”趨勢(shì)與展望P277TrenchMOSFET的研究與進(jìn)展P281光子射頻移相器研究與進(jìn)展現(xiàn)代管理P284晶圓復(fù)雜制造系統(tǒng)在線優(yōu)化調(diào)度系統(tǒng)研究技術(shù)專欄(晶圓生長(zhǎng)及晶片制備技術(shù))P288LECGaAs晶體中殘留雜質(zhì)碳和硼的控制P293VBGaAs單晶生長(zhǎng)技術(shù)P297硅片納米微粒清洗潔凈新技術(shù)P301高阻真空區(qū)熔硅單晶的生長(zhǎng)器件制造與應(yīng)用P304GaAsMESFET微波固態(tài)振蕩器的設(shè)計(jì)與實(shí)

2、現(xiàn)P308SiO2SiC界面陷阱電荷近似計(jì)算的局限P313GaN功率器件模型及其在電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用P316PS級(jí)任意整形脈沖發(fā)生器工藝技術(shù)與材料P320多層金屬化系統(tǒng)中的蓄水池效應(yīng)P324骨架提取在IC晶片缺陷機(jī)器視覺識(shí)別中的研究集成電路設(shè)計(jì)與開發(fā)P328嵌入式系統(tǒng)中EEPROM接口及控制電路設(shè)計(jì)P332一種寬帶低功耗電壓可變衰減器的研究P335深亞微米SOC芯片分層設(shè)計(jì)方法P339電壓模式ｎ階ＣＦＡ低通濾波器的設(shè)計(jì)微納工藝、材料與器件

3、P342基于MEMS的光開關(guān)技術(shù)研究封裝、測(cè)試與設(shè)備P345低壓器件的三點(diǎn)式Delta測(cè)量法P349影響ESD荷電器件模型放電電流的關(guān)鍵參數(shù)研究P354功率型LED芯片的熱超聲倒裝技術(shù)P358柔性O(shè)LED封裝方法的研究3技術(shù)專欄(晶圓生長(zhǎng)及晶片制備技術(shù))LECGaAs晶體中殘留雜質(zhì)碳和硼的控制晶體中殘留雜質(zhì)碳和硼的控制周春鋒，林健，郭鑫，吳元慶，張亮，賴占平（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所，天津３００２２０）摘要：摘要：在非摻雜LE

4、C（liquidencapsulatedCzochralski）半絕緣GaAs晶體中碳和硼是主要的殘留雜質(zhì)，這兩種雜質(zhì)影響襯底的半絕緣性能和制造的器件性能。在分析GaAs中碳、硼雜質(zhì)結(jié)合和分離機(jī)理基礎(chǔ)上，采取真空烘燒、降低氧化硼溫度、控制氧化硼水含量和在富砷熔體中生長(zhǎng)晶體等措施，達(dá)到了對(duì)GaAs晶體中殘留雜質(zhì)硼和碳的控制。VBGaAs單晶生長(zhǎng)技術(shù)單晶生長(zhǎng)技術(shù)林健，牛沈軍，蘭天平（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所，天津３００２２０）摘要

5、：摘要：半導(dǎo)體GaAs單晶材料通常用于制作激光二極管和高亮度發(fā)光二極管。對(duì)于激光二極管而言，特別需要低位錯(cuò)材料。簡(jiǎn)要闡述了垂直布里奇曼（VB）法生長(zhǎng)GaAs單晶材料的動(dòng)力學(xué)原理及VBGaAs單晶的生長(zhǎng)技術(shù)。本技術(shù)可實(shí)現(xiàn)低位錯(cuò)GaAs單晶材料的生長(zhǎng)，拉制的50mm摻硅GaAs單晶的平均位錯(cuò)密度為500cm2，最大為1000cm2。硅片納米微粒清洗潔凈新技術(shù)硅片納米微粒清洗潔凈新技術(shù)張慧，成立，韓慶福，嚴(yán)雪萍，劉德林，徐志春，李俊（江蘇大學(xué)