集成電路低功耗設(shè)計方法研究【文獻(xiàn)綜述】

1、畢業(yè)設(shè)計文獻(xiàn)綜述畢業(yè)設(shè)計文獻(xiàn)綜述電子信息科學(xué)與技術(shù)電子信息科學(xué)與技術(shù)集成電路低功耗設(shè)計方法研究集成電路低功耗設(shè)計方法研究摘要:隨著IC制造工藝達(dá)到納米級，功耗問題已經(jīng)與面積、速度一樣受到人們關(guān)注，并成為制約集成電路發(fā)展的關(guān)鍵因素之一。同時，由于電路特征尺寸的縮小，之前相比于電路動態(tài)功耗可以忽略的靜態(tài)漏功耗正不斷接近前者，給電路低功耗設(shè)計提出了新課題，即低漏功耗設(shè)計。本文將分析納米工藝下芯片功耗的組成和對低漏功耗進行研究的重要性，然后介紹

2、目前主要的低功耗設(shè)計方法。此外，由于ASIC技術(shù)是目前集成電路發(fā)展的趨勢和技術(shù)主流，而標(biāo)準(zhǔn)單元是ASIC設(shè)計快速發(fā)展的重要支撐，本文在最后提出了標(biāo)準(zhǔn)單元包低漏功耗設(shè)計方法，結(jié)合電路級的功耗優(yōu)化技術(shù)，從而拓寬ASIC功耗優(yōu)化空間。關(guān)鍵字：低功耗，標(biāo)準(zhǔn)單元，ASIC設(shè)計前言：自1958年德克薩斯儀器公司制造出第一塊集成電路以來，集成電路產(chǎn)業(yè)一直以驚人的速度發(fā)展著，到目前為止，集成電路基本遵循著摩爾定律發(fā)展，即集成度幾乎每18個月翻一番。隨著

3、制造工藝的發(fā)展，IC設(shè)計已經(jīng)進入了納米級時代：目前國際上能夠投入大規(guī)模量產(chǎn)的最先進工藝為40nm，國內(nèi)的工藝水平正將進入65nm；2009年，Intel酷睿i系列創(chuàng)紀(jì)錄采用了領(lǐng)先的32nm工藝，并且下一代22nm工藝正在研發(fā)中。但伴隨電路特征尺寸的減小，電路功耗數(shù)值正呈指數(shù)上升，集成電路的發(fā)展遭遇了功耗瓶頸。功耗問題已經(jīng)同面積和速度一樣受到人們重視，成為衡量IC設(shè)計成功與否的重要指標(biāo)之一。若在設(shè)計時不考慮功耗而功利地追求集成度的提高，則

4、可能會使電路某些部分因功耗過大引起溫度過高而導(dǎo)致系統(tǒng)工作不穩(wěn)定或失效。如Intel的1.5GHzPentiumⅣ處理器，擁有的晶體管數(shù)量高達(dá)4200萬只，功率接近95瓦，整機生產(chǎn)商不得不為其配上了特大號風(fēng)扇來維持其正常工作。功耗的增大不僅將導(dǎo)致器件的可靠性降低、芯片的穩(wěn)定性下降，同時也給芯片的散熱和封裝帶來問題。因此，功耗已經(jīng)成為阻礙集成電路進一步發(fā)展的難題之一，低功耗設(shè)計也已成為集成電路的關(guān)鍵設(shè)計技術(shù)之一。一、電路功耗的組成CMOS電

5、路中有兩種主要的功耗來源，動態(tài)功耗和靜態(tài)功耗。其中，動態(tài)功耗包括負(fù)載電容的充放電功耗(交流開關(guān)功耗)和短路電流引起的功耗；靜態(tài)功耗主要是由漏電流引起的功耗，如圖1所示。圖2：Intel公司CPU單位面積功耗變化趨勢圖中白色柱狀圖表示晶體管集成度以100%程度提高時，動態(tài)和靜態(tài)功耗變化趨勢，灰色柱狀圖表示晶體管集成度以50%程度提高時，動態(tài)和靜態(tài)功耗變化趨勢?？梢?，若CPU集成度以50%提高時，盡管動態(tài)功耗不斷下降，但靜態(tài)功耗急速提升，總

6、功耗仍將不斷攀升；若集成度采用傳統(tǒng)習(xí)慣的100%提高，則兩者功耗都在增大，而靜態(tài)功耗的比例會越來越重；當(dāng)達(dá)到45nm工藝時，靜態(tài)與動態(tài)功耗基本持平。注意到，圖中的縱坐標(biāo)是以10倍比例遞增的，可見功耗增長速度之快。因此，研究電路的靜態(tài)功耗已成為低功耗設(shè)計不可忽略和回避的問題，并且將導(dǎo)致低功耗設(shè)計研究方向和重心的偏移。低漏功耗的研究對于集成電路的進一步發(fā)展具有至關(guān)重要的影響。二、功耗優(yōu)化技術(shù)功耗分為動態(tài)功耗和靜態(tài)功耗，功耗優(yōu)化技術(shù)亦可分為兩

7、類。目前動態(tài)功耗優(yōu)化方面主要有：1.多電源供電法，即對芯片中高性能模塊供高電壓，低性能模塊供低電壓，這種方法目前在手持設(shè)備芯片中用的較多。2.時鐘屏蔽法，目前芯片的時鐘信號要消耗40~50%的動態(tài)功耗，所以在芯片工作時，將閑置模塊內(nèi)的時鐘信號屏蔽掉，可以節(jié)約大量的動態(tài)功耗。3.動態(tài)功耗管理方法，如動態(tài)變頻法，即在芯片工作負(fù)荷較小時，降低工作頻率和供電電壓，以達(dá)到降低動態(tài)功耗的目的；此外在工作溫度超限時，也自動進行降頻，達(dá)到保護芯片的目的

8、。4.多核并行運算法，通過多核并行分擔(dān)工作負(fù)荷，使芯片可以使用較低的工作頻率滿足同樣性能要求，同樣達(dá)到降低動態(tài)功耗目的。靜態(tài)功耗優(yōu)化包括亞閾值漏電流和柵極漏電流優(yōu)化。在柵極漏電流優(yōu)化方面，由于PMOS晶體管的隧穿電流大大低于NMOS，導(dǎo)致PMOS晶體管的柵漏電流遠(yuǎn)低于NMOS，所以P型電路成為重要的研究方向，就目前來說，使用輸入端重排序法，可以使柵極漏電流的產(chǎn)生概率最小。在亞閾值漏電流優(yōu)化方面，主要有：1.雙閾值電壓法，即在同一電路中用