1.3微米量子點(diǎn)激光器材料發(fā)光特性研究_第1頁(yè)
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1、分類(lèi)‘；：—TN—304UDC：68】7密級(jí)可公丌編號(hào)——13微米量子點(diǎn)激光器材料發(fā)光特性研究STUDYONCHARACTERISTICSOFLUMINESCENCEOF13ttmQUANTUMDOTSMATERIALSFORLASERS學(xué)位授予單位及代媽?zhuān)耗酪夹腿齕盔堂(1Q1墅2學(xué)科專(zhuān)業(yè)名稱(chēng)搜代碼：堂堂土捏IQ!Q32研究方向：盤(pán)芏堇壟焦王捏立旦申請(qǐng)學(xué)位紱剎：亟指導(dǎo)教帥：至鹽研究生：羔堅(jiān)論文起止時(shí)陽(yáng)J：2Q!Q生9蚓=墊ll生12臼

2、摘要經(jīng)過(guò)近半個(gè)世紀(jì)的靛展，半導(dǎo)體激光器在光電子器件和通訊領(lǐng)域內(nèi)已經(jīng)得到了廣泛的研究和應(yīng)用。對(duì)量子點(diǎn)和量子阱激光器材料的研究有助于半導(dǎo)體激光器性能的改善。低微納米材科尤其是量子點(diǎn)材料是當(dāng)今國(guó)際研究的熱點(diǎn)受到廣泛的關(guān)注與重視，本文主要利用MBE外延生長(zhǎng)技術(shù)對(duì)lnAs／GaAs量子點(diǎn)的生長(zhǎng)參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而制備出面密度為(10“’cm。1的lnAs量子點(diǎn)。對(duì)IrtAs量子點(diǎn)進(jìn)行熒光光譜實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)表明生長(zhǎng)出lnGaAs應(yīng)變減小層的應(yīng)變量子點(diǎn)材料的

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