BLT-PZT-BLT鐵電薄膜的溶膠-凝膠制備及性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、鐵電存儲器是一種具有操作電壓低、功耗低、信息保持時問長、寫入速度快、抗輻射等優(yōu)異特性的新型非揮發(fā)存儲器,非常適合應用于嵌入式平臺。目前主流的商業(yè)化鐵電存儲器是采用:PZT材料來制備鐵電薄膜,本論文對:PZT鐵電薄膜的改性進行了實驗研究。
   本文基于多層復合鐵電薄膜能夠將多種鐵電材料的優(yōu)良特性相結合的原理,采用溶膠一凝膠法在Pt/TiO2/SiO2/p-Si(100)襯底上制備了BLT、BLT/PZT、BLT/:PZT/BLT

2、系列薄膜。研究了BLT薄膜的鐵電性能,確定了最優(yōu)的BLT薄膜工藝參數(shù);研究了BLT/PZT/BLT薄膜的結構和鐵電特性,及相對BLT和PZT薄膜在晶體結構和性能上的差異,并計算了不同結構參數(shù)的BLT/PZT/BLT薄膜主要衍射峰的相對強度的關系,及和薄膜鐵電特性之問的聯(lián)系。
   實驗結果表明,BLT薄膜相比PZT薄膜具有更好的抗疲勞性能。引入BLT層后,BLT/PZT薄膜相比PZT薄膜,其疲勞特性有顯著改善,經(jīng)過10 9次極化

3、翻轉后,剩余極化只大約下降了初始值的15%;同時其鐵電性能依然表現(xiàn)良好,剩余極化和同等厚度的PZT薄膜相差不大。XRD測試表明,三明治結構的BLT/PZT/BLT薄膜呈隨機多晶取向;薄膜的鐵電性能良好,剩余極化較大;隨著BLT層和PZT層相對厚度的變化,薄膜的晶體結構和鐵電性能表現(xiàn)出規(guī)律性的變化。BLT/PZT/BLT薄膜在保留了PZT材料剩余極化大,電滯回線矩形度好的優(yōu)點同時,也具備BLT薄膜優(yōu)異的抗疲勞特性。這些結果表明,三明治結構

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