室溫硫化硅橡膠防污閃涂料的開發(fā)與性能研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩94頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、文章概述了國內(nèi)外的污閃事故、污閃成因、防污閃措施、室溫硫化硅橡膠(RTV)防污閃原理及特點(diǎn),探討了RTV納米復(fù)合材料的防污閃理論。首先,實(shí)驗(yàn)通過表面接枝技術(shù)對(duì)粉體進(jìn)行化學(xué)改性,通過直接共混法與聚二甲基硅氧烷(PDMS)制備復(fù)合涂料。詳細(xì)研究了納米粉體、分散劑、偶聯(lián)劑、催化劑、以及分散工藝、特性粉體單一補(bǔ)強(qiáng)與協(xié)效補(bǔ)強(qiáng)作用等,對(duì)RTV涂料性能、電氣性能、機(jī)械性能、阻燃性能、耐漏電起痕性能、耐污閃性能的影響。繼而,研制出具有優(yōu)異憎水性的RTV

2、納米復(fù)合防污閃材料,和高耐漏電起痕的高壓絕緣室溫硫化硅橡膠(HVIC)防污閃復(fù)合材料;針對(duì)于RTV涂層戶外運(yùn)行的特點(diǎn),研究涂層的耐候性。 1、分別用氨丙基三乙氧基硅烷(APTS)、2,4-甲苯二異氰酸酯(TDI)對(duì)氫氧化鋁(ATH)進(jìn)行粉體改性,采用FT-IR、TG、粒度分析儀等,分析改性后的ATH功能粉體特點(diǎn)。通過化學(xué)表面接枝改性后的粉體,經(jīng)丙酮提取后,APTS與TDI沒有被洗脫。探討混煉工藝,并選取合適的制備方法:振蕩工藝較

3、適合制備低粘度的RTV納米復(fù)合涂料,而高速攪拌分散工藝適合制備高粘度的HVIC。 2、研究振蕩工藝、分散劑、偶聯(lián)劑、催化劑對(duì)涂料、硫化涂層的影響,并通過少量納米粉體提高RTV防污閃涂料的性能。隨著振蕩時(shí)間的增大,細(xì)度降低,粘度先下降后升高,表面電阻率增加;研制出新型的RTV納米復(fù)合防污閃涂料,主要性能已經(jīng)達(dá)到并超過DL/T627-2004《絕緣子用室溫固化硅橡膠防污閃涂料》指標(biāo)的要求,其中憎水角超過了道康寧RTV(憎水性108°

4、)。 3、研究了大量粉體的填充對(duì)RTV的影響。采用SiO<,2>、Mg(OH)<,2>、Al(OH)<,3>,單獨(dú)或協(xié)同填充RTV,研究涂層電阻率、硬度、抗拉強(qiáng)度、斷裂伸長率、阻燃性的變化規(guī)律。單獨(dú)一種粉體添加時(shí),隨著粉體量的增加,電阻率大幅降低,硬度升高,斷裂強(qiáng)度增大,斷裂伸長率先增大后減小。SiO<,2>對(duì)涂層機(jī)械性能提高較大,而Al(OH)<,3>對(duì)涂層的阻燃性提高較大。多種粉體的協(xié)同補(bǔ)強(qiáng)時(shí),體積電阻率下降幅度減小,撕裂強(qiáng)

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論