用于MMIC硅基雙極型高頻微波晶體管結構、性能研究及工藝開發(fā).pdf

1、在超高速集成電路領域中硅雙極技術占有重要的地位，這是因為雙極器件比MOS器件具有更強的驅動能力，更大的跨導和更快的速度。近年來一系列新的雙極型器件結構，工藝技術的開發(fā)成功，使硅雙極電路速度發(fā)展令人矚目。 本文闡述了在傳統(tǒng)晶體管結構和單層多晶硅發(fā)射極結構基礎上設計了雙極型雙層多晶硅發(fā)射極器件結構，并針對該結構開發(fā)了相應的雙多晶工藝。該雙層多晶硅發(fā)射極結構的主要特點是發(fā)射結硅表面上的多晶硅與作為外基區(qū)引線的多晶硅在縱向上形成交疊，使

2、外基區(qū)建立在厚氧化層上，不僅縮小了晶體管橫向上的尺寸，還大幅度減少了寄生電容。與傳統(tǒng)的雙極型工藝相比，該工藝關鍵優(yōu)勢在于基于標準CMOS工藝平臺制造，超細微線條，采用超淺發(fā)射結注入、深槽隔離以及二次濃硼注入工藝等先進技術，制造出具有更高頻率，更大功率增益，較低噪聲系數(shù)，易于電路匹配以及更高集成性的單片式分立器件。流片結果顯示，采用本文描述的工藝方法制造出的高頻微波晶體管其增益帶寬乘積fT在Ic=25mA，VCE=2V，f=2GHz條件約