激光作用下SiC晶須生長條件的研究.pdf

1、激光作為一種熱源，由于其具有的瞬態(tài)非平衡能量輸出機制以及作用在材料時的超快加熱效應，近幾年在納米材料的制備中已有所應用。當激光照射材料時，在激光作用的三維空間內，激光能量呈現出一定的梯度分布，使得在激光束作用下的粉體材料處于一個梯度溫度場內，為材料的合成提供了條件。 本文以激光為熱源，以SiC納米顆粒材料為前驅體，進行了激光照射下SiC納米顆粒原位生長晶須的試驗，探索SiC晶須在激光照射下穩(wěn)定生長的條件及其生長過程。所完成的工作

2、主要有： 1．分析了平行光斑照射層的能量場。將激光輸出模式TEM01簡化成TEM00基模，建立了高斯分布的激光能量場模型。 2．對垂直光斑照射層進行溫度分析，建立了溫度場。 3．采用被照射表面與光斑垂直的方式進行SiC納米顆粒激光照射試驗。對樣品進行掃描電鏡分析，探索晶須的生長過程及晶須的生長條件。 4．在一定的激光參數下，比較未加粘結劑樣品和添加粘結劑樣品的晶須生長情況，進而分析了粘結劑對晶須純度、生長