Fe3O4@SiO2-TAT納米粒子跨血腦屏障體外研究.pdf

1、納米載體為不能穿過血腦屏障的中樞神經系統(tǒng)藥物進入腦內提供了一種新的方法，在腦部疾病的治療中起到了重要的作用。其中具有生物活性的磁性納米載體在實際應用中具有更多優(yōu)點和潛力，如藥物/基因緩釋與磁導向定位的雙功能，從而確保藥物主要聚集在病灶部位，減少對正常細胞的毒副作用。本課題合成了一種二氧化硅包四氧化三鐵磁性復合納米粒子(Fe3O4@SiO2 NPs)，并以人腦毛細血管內皮細胞(hCMEC/D3)建立的單層細胞血腦屏障體外模型為平臺，研究細

2、胞穿膜肽(TAT)修飾的Fe3O4@SiO2 NPs在外加磁場的作用下跨過體外血腦屏障模型。具體工作分為以下三個方面:
　　1，磁性復合納米粒子的合成:
　　1）以堿共沉淀法合成四氧化三鐵納米粒子(Fe3O4 NPs);
　　2)利用經典St(o)ber法，合成核殼結構的Fe3O4@SiO2 NPs，復合納米粒子的SiO2層厚度及Fe3O4核數量可控;
　　3）采用硅烷偶聯劑氨丙基三甲氧基硅烷(APTMS)進行表

3、面氨基化修飾，通過TEM，XRD，XPS，FTIR，Zeta電位表征納米粒子的形貌，組成結構及表面性質，VSM表征復合納米粒子具有良好的磁性能。
　　2，體外血腦屏障模型的構建:
　　采用懸掛式細胞培養(yǎng)小室(Transwell)以人腦毛細血管內皮細胞永生系(hCMEC/D3)建立單層細胞血腦屏障模型。并通過多種方法對模型進行評價，結果證實緊密連接蛋白ZO-1充分表達，模型具有完整的屏障功能，對小分子物質及大分子物質都具有極低

4、的通透性。
　　3，磁性載體跨血腦屏障的研究:
　　用細胞穿膜肽TAT修飾Fe3O4@SiO2 NPs，MTT實驗結果證實修飾后的復合納米粒子細胞毒性很低。以上述所建血腦屏障模型為平臺，考察磁性復合納米粒子在外加磁場作用下跨血腦屏障的能力。結果證明外加磁場能夠提高納米粒子跨血腦屏障效率，且TAT修飾復合納米粒子跨血腦屏障效率高于未修飾的納米粒子。激光共聚焦結果顯示TAT修飾復合納米粒子跨過血腦屏障后進入U251細胞，能夠在細