磁泡點(diǎn)陣形成規(guī)律的研究.pdf

1、本文主要研究了磁泡點(diǎn)陣的形成條件.實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)石榴石磁泡薄膜樣品在系列脈沖偏場(chǎng)作用下可以形成規(guī)則的泡陣，泡陣呈六角密排結(jié)構(gòu).形成泡陣的條件與脈沖偏場(chǎng)的幅度和脈沖寬度有關(guān).存在一個(gè)與材料參量相關(guān)的閾值脈沖寬度，只有大于此閾值時(shí)才能夠得到泡陣.對(duì)于某一直流偏場(chǎng)，形成泡陣的脈沖幅度Hp不隨脈沖寬度τP變化.直流偏場(chǎng)和脈沖偏場(chǎng)聯(lián)合作用下形成泡陣時(shí)的條件為：脈沖幅度Hp與直流偏場(chǎng)Hb的和為條泡轉(zhuǎn)變場(chǎng)Hsb，這說(shuō)明是由于直流偏場(chǎng)和脈沖偏場(chǎng)的共同作用，使

2、得加在樣品上的磁場(chǎng)達(dá)到了形成磁泡的偏磁場(chǎng)，即條泡轉(zhuǎn)變場(chǎng)Hsb，從而形成泡陣.泡陣中的泡均為軟泡，而且形成泡陣的脈沖幅度在硬化區(qū)域內(nèi)，表明存在一個(gè)硬化“奇點(diǎn)”.面內(nèi)場(chǎng)會(huì)使條泡轉(zhuǎn)變場(chǎng)變大，在低面內(nèi)場(chǎng)區(qū)這種變化與晶向沒(méi)有關(guān)系.面內(nèi)場(chǎng)下泡陣的形成條件仍然滿(mǎn)足脈沖幅度HP與直流偏場(chǎng)Hb的和為條泡轉(zhuǎn)變場(chǎng)Hsb的關(guān)系，只是條泡轉(zhuǎn)變場(chǎng)與面內(nèi)場(chǎng)有關(guān). 由于泡陣縮滅場(chǎng)集中，且在軟泡縮滅場(chǎng)處，從而為準(zhǔn)確測(cè)量軟泡縮滅場(chǎng)和小線(xiàn)圈電流常數(shù)提供了一個(gè)新的實(shí)驗(yàn)