SiC-真空多層膜結(jié)構(gòu)的近場熱傳輸特性.pdf

1、隨著納米技術和光學技術的蓬勃發(fā)展,今后我們有望迎來一個全光時代。在光子芯片取代電子芯片后,大規(guī)模光子器件的集成所產(chǎn)生的熱效應是人們所關注的焦點問題之一。多層膜結(jié)構(gòu)作為常見的光學器件結(jié)構(gòu)之一,對其在近場下熱輻射的研究是非常重要的。
　　本文以漲落電動力學結(jié)合格林函數(shù)法為理論基礎,著重分析了SiC-真空多層膜結(jié)構(gòu)的態(tài)密度、傳熱系數(shù)以及納米粒子對其輻射場吸收功率在近場下的變化規(guī)律。研究了探測距離、多層膜介質(zhì)層厚度、折射率等結(jié)構(gòu)參數(shù)對其影

2、響。
　　在表面波諧振頻率處,比較了半無限大結(jié)構(gòu)與多層膜結(jié)構(gòu)態(tài)密度、傳熱系數(shù)、納米粒子對其輻射場的吸收功率隨探測距離的變化規(guī)律,近場遠場不同偏振下對熱輻射的貢獻。指出了SiC層厚度、真空層厚度與間隔距離可比擬時,多層膜內(nèi)部表面波耦合增強現(xiàn)象。對于特定結(jié)構(gòu)的多層膜,其傳熱系數(shù)與半無限大結(jié)構(gòu)相比明顯增強。
　　分析了納米粒子的吸收功率兩個峰值的成因,以及多層膜結(jié)構(gòu)對其特殊的影響。由于其內(nèi)部表面波的耦合作用,使得納米粒子在強吸收頻