40GHz GaAs行波量子阱電光調(diào)制器的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該論文采用行波量子阱結(jié)構(gòu)來設(shè)計(jì)40GHz的電光調(diào)制器.為實(shí)現(xiàn)高帶寬,低驅(qū)動的要求,該論文著重在量子阱的光學(xué)特性和器件的微波特性兩個方面進(jìn)行了深入的研究.該論文首先根據(jù)量子限制Stark效應(yīng),發(fā)展了等效寬度思想,提出了把單量子阱結(jié)構(gòu)的有限深勢阱的分析轉(zhuǎn)化為無限深勢阱模型的顯式公式,從而大大簡化了電場下量子阱結(jié)構(gòu)的分析;接著利用轉(zhuǎn)移矩陣,把周期性的量子阱結(jié)構(gòu)簡化為三層結(jié)構(gòu),得到了實(shí)際采用的非對稱三阱結(jié)構(gòu)量子阱的場分布,并討論了量子阱結(jié)構(gòu)的偏

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