SiO2基體上直流磁控濺射LaB6-ITO復合薄膜的性能研究.pdf

1、磁控濺射技術是一種高效的薄膜沉積工藝，近年來被得到廣泛應用，據(jù)報道納米LaB6顆粒在近紅外波具有很好的吸收性，ITO薄膜作為代表性的透明導電材料，在中紅外波段具有較強的光反射效應，為了綜合兩種材料在紅外光波段的的特點，本文通過直流磁控濺射方法在玻璃基體上沉積了LaB6/ITO復合薄膜，并利用X射線衍射儀、原子力顯微鏡、場發(fā)射掃描電鏡等測試儀器研究了退火及不同濺射條件下LaB6/ITO薄膜組織、結構及光電性能的變化。
　　 LaB

2、6/ITO雙層薄膜的結構受第一層LaB6層濺射工藝跟退火工藝的共同影響，退火促進了薄膜(222)晶向的生長。濺射條件對薄膜的生長有很大的影響，只在氬氣氛圍下濺射容易形成不均勻的結構，加入偏壓后薄膜生長更加致密，結晶更完全，功率過高或者過低薄膜容易出現(xiàn)坍塌現(xiàn)象，因為薄膜內部存在較大的內應力。薄膜的生長模式為島狀生長，生長過程中出現(xiàn)了“手指狀”“圓錐狀”的組織。
　　 改變四種工藝條件氬氣氣壓、基片偏壓、濺射功率、退火溫度，均沒有得