In2O3及SiC基稀磁半導(dǎo)體薄膜的局域結(jié)構(gòu)和磁、輸運(yùn)性能研究.pdf

1、分類號(hào)：4304520密級(jí)：天津理工大學(xué)研究生學(xué)位論文In203及SiC基稀磁半導(dǎo)體薄膜的局域結(jié)構(gòu)和磁、輸運(yùn)性能研究(申請(qǐng)碩士學(xué)位)學(xué)科專業(yè)：材料物理與化學(xué)。研究方向：低維稀磁半導(dǎo)體材料的制備與物性作者姓名：段嶺申指導(dǎo)教N(yùn)安玉凱副教授2012年1月獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作和取得的研究成果，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝之處外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得丞洼堡王太堂或

2、其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說明并表示了謝意。學(xué)位論文作者簽名：張妗沖簽字日期：加卜年砂月7日‘l一／學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解丞洼理王太堂有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定。特授權(quán)丞洼堡王太堂可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索，并采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編，以供查閱和借閱。同意學(xué)校向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)本和電