反向光刻技術(shù)和版圖復(fù)雜度研究.pdf

1、隨著集成電路工藝發(fā)展到超深亞微米階段,光刻工藝已經(jīng)成為限制集成電路技術(shù)發(fā)展的因素之一。光學(xué)鄰近效應(yīng)在當(dāng)前集成電路制造過(guò)程中變得越來(lái)越嚴(yán)重,工藝界采用多種分辨率增強(qiáng)技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)這一問(wèn)題。光學(xué)鄰近校正技術(shù)作為傳統(tǒng)的分辨率增強(qiáng)技術(shù)中的核心技術(shù)之一,得到了廣泛的應(yīng)用。然而隨著集成電路工藝節(jié)點(diǎn)不斷降低,目前最先進(jìn)的工藝已經(jīng)到達(dá)了22nm,光學(xué)鄰近校正技術(shù)在應(yīng)用上也碰到了越來(lái)越多的困難,而反向光刻技術(shù)以其優(yōu)異的特點(diǎn)越來(lái)越受到人們關(guān)注。由于采用反向光刻

2、技術(shù)得到的版圖圖形十分復(fù)雜,很難直接應(yīng)用在實(shí)際生產(chǎn)上,大大限制了反向光刻技術(shù)的發(fā)展。
　　 本文對(duì)反向光刻技術(shù)以及各個(gè)懲罰項(xiàng)做了詳細(xì)介紹,并針對(duì)版圖復(fù)雜度進(jìn)行深入的研究,在前人提出的局部小波懲罰項(xiàng)基礎(chǔ)上提出了一種新的復(fù)雜度懲罰項(xiàng),本文中稱(chēng)為全局小波懲罰項(xiàng)。不同于局部小波懲罰項(xiàng)只能減小版圖固定方向上的高頻分量,全局小波懲罰項(xiàng)能檢測(cè)到版圖各個(gè)方向上的高頻分量,并選擇高頻分量值最多的方向進(jìn)行衰減,從而能夠更加有效的降低版圖的高頻分量,