圖案化一維聚合物納米陣列制備及生長機理研究.pdf

1、本文主要利用紫外光刻法在多孔陽極氧化鋁模板上復制掩模預設的圖案。探索了影響模板圖案化的條件。經(jīng)過研究后發(fā)現(xiàn)，圖案化直徑為lcm的多空氧化鋁模板最佳的光刻條件為：勻膠量為0.2ml，曝光時間為50s，顯影時間為20s。并且，光刻的圖案越小，對實驗條件的要求越高，制備越困難；大小相同的，圖案空隙越大，制備的圖案越好。
　　 然后以圖案化的多孔氧化鋁模板為二次模板，采用熔融法和溶液法分別制備了不同聚合物的圖案化的納米管陣列，如PS，P

2、MMA,EVA,PE等。在融掉模板與剩余光刻膠后，采用掃描電子顯微鏡對圖案化聚合物納米管進行了表征。結果表明，聚合物納米管陣列的圖案與掩模圖案完全一致。剛性較大的聚合物較易形成圖案化聚合物納米管陣列，得到的納米管直立性較好，不易發(fā)生倒坍。熔融法制備圖案化聚合物納米管受生長溫度與反應時間的影響較大，而溶液法制備圖案化聚合物納米管受溶液濃度等條件影響。得到的PS與PMMA的圖案化納米管陣列較好。
　　 本文還對溶液法制備聚合物納米管