直流磁控濺射BaTiO-,3-系PTCR元件電極及其性能對(duì)比研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、該文將現(xiàn)代電子工藝中比較先進(jìn)的成膜工藝——直流磁控濺射法,應(yīng)用在PTCR元件的底電極的制備上,是一種全新的嘗試,結(jié)果獲得了高性能的與鈦酸鋇(BaTiO<,3>)系PTCR元件歐姆接觸良好的,厚度1.0μm左右的濺射鎳電極.結(jié)合實(shí)際生產(chǎn)需要,該課題就直流磁控濺射法制備高性能鈦酸鋇(BaTiO<,3>)系PTCR元件電極進(jìn)行了較為詳細(xì)的研究.研究?jī)?nèi)容主要包括:直流磁控濺射BaTiO<,3>系PTCR元件電極工藝研究、磁控濺射鎳電極的微觀結(jié)構(gòu)

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