垂直電導(dǎo)結(jié)構(gòu)非致冷紅外探測(cè)器研究.pdf

1、隨著超大規(guī)模集成電路和微電機(jī)械加工（MEMS）技術(shù)的發(fā)展，紅外探測(cè)器技術(shù)取得了驚人的進(jìn)展，非致冷紅外探測(cè)器的性能不斷提升，使其在軍事武器和民用領(lǐng)域都呈現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。雖然非致冷紅外探測(cè)器價(jià)格相對(duì)低廉，但是相比制冷型探測(cè)器，在探測(cè)性能上仍然還有較大的差距，限制了其在高端領(lǐng)域的推廣應(yīng)用。提高非致冷紅外探測(cè)器的探測(cè)性能，使之達(dá)到背景限探測(cè)性能，成為研究者們的追求目標(biāo)。
　　本論文基于垂直電導(dǎo)原理，提出采用高電阻率高TCR的氧化釩敏感

2、薄膜材料與金屬或?qū)щ娊饘倩衔锉∧そM成垂直導(dǎo)電三層紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)。開展了如下的工作：
　　(1)根據(jù)均勻膜層近似下的多層薄膜電導(dǎo)率和TCR公式，分析了在金屬/半導(dǎo)體/金屬結(jié)構(gòu)中采用高電阻率敏感材料獲得高TCR的可行性；
　　(2)采用傳輸矩陣方法計(jì)算了垂直電導(dǎo)三層薄膜結(jié)構(gòu)的紅外吸收特性；通過比較當(dāng)表面導(dǎo)電層分別采用金屬或類金屬化合物如ITO等材料時(shí)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的紅外吸收特性，發(fā)現(xiàn)類金屬化合物的厚度可選范圍大因而更易于制備；另外，