CMOS帶隙基準源的研究與設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、合肥工業(yè)大學碩士學位論文CMOS帶隙基準源的研究與設計姓名：崔磊申請學位級別：碩士專業(yè)：微電子學與固體電子學指導教師：易茂祥20100301ResearchandDesignofCMOSBandgapReferenceSourceABSTRACTCMOSBandgapReference(BGR)sourceiswidelyusedinmanycircuits，suchasADC，DAC，LDOandotheranalogormixedc

2、ircuitsItiSanessentialblockItsperformancedirectlyaffectstheaccuracyandsystemstabilityInthispaper，threedifferenttypesofBGRusedinpipelineADC，DACandLDOareresearchedResearchanddesigntheBGRinADC，includingthecorecircuit，operat

3、ionalamplifier，biascircuitandstartcircuit。Basingonatypicalbrokawstructure，twoopampsareusedtoachievevoltageclampspacesandprovideastablebiasvoltage，FeedbackdesignetoimprovethebaselinebythepowersupplyrejectionratioTheBGRapp

4、liedinDACusesdifferenttypesofresistancetosecondordercompensationThetemperaturecharacteristicsaresignificantlyimprovedTheBGRappliedinLDOusescompensationofbasecurrentandthesubstratevoltagemoduletechnologyFinally，takingfull

5、accountofvariousfactorsonthebasisoflayout，designthelayoutoftheBGRusedinpipelineADC，andthroughlayoutverificationTheBGRappliedinADC，basedonchart018urnCMOSprocess，with18Vsupplytemperaturecoefficient(TC)is85ppm／oC，Powersuppl

6、yrejectionratio(PSRR)is1102dBTheBGRappliedinDAC，withSMIC035umand33Vsupply，TCis27ppm／oC；PSRRis85dBTheBGRappliedinLDO，withHynix05pmprocessand5VsupplyshowsthatTCis37ppm／oC，PSRRis754dBTheperformanceofthreecircuitscansatisfyt

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