基于SnO和Si的異質p-n結制備及性能研究.pdf

1、氧化物半導體作為一類重要的半導體材料具有廣泛的應用，比如氣敏傳感器、太陽能電池、可充電鋰電池、光催化以及平板顯示器的驅動元件等。然而多數(shù)氧化物半導體呈現(xiàn)本征n型電導。盡管研發(fā)獲得了一些p型氧化物半導體，但是和n型氧化物相比，其研發(fā)強度和性能還相差甚遠。這種不均衡現(xiàn)象已經(jīng)嚴重阻礙了基于氧化物半導體的互補型電路、器件的發(fā)展與應用。氧化亞錫（SnO）作為一種本征p型氧化物半導體材料，獲得了大量研究，比如作為鋰電池陽極材料、p型或雙極性薄膜晶體

2、管以及p-n結中的p型半導體材料。p-n結是眾多半導體器件中的“基本骨架”，比如太陽能電池、發(fā)光二極管、光電探測器以及雙極性晶體管等。
　　本研究主要內容包括：⑴探索出了采用電子束蒸發(fā)結合紫外光刻技術制備異質p-n結的方法，成功制備出了具有明顯整流效應的SnO/Si異質p-n結。⑵研究了退火溫度及氣氛、電極材料種類以及p型SnO薄膜厚度等參量對該p-n結電學性能的影響。⑶通過深入分析SnO/Si異質p-n結的電流—電壓及電容—電壓