Ⅱ-Ⅵ族半導體納米粒子-層狀硅酸鹽復合材料的制備及發(fā)光性質的研究.pdf

1、分類號：密級：UDC：學號：405503611040南昌大學碩士研究生學位論文ⅡⅥ族半導體納米粒子族半導體納米粒子層狀硅酸鹽復合材料的制備層狀硅酸鹽復合材料的制備及發(fā)光性質的研究及發(fā)光性質的研究StudyonPreparationLuminescentPropertiesofCompositeBasedonⅡⅥSemiconductNanoparticlesEnclosedinLayeredSilicates余根生培養(yǎng)單位（院、系）：理

2、學院化學系指導教師姓名、職稱：陳玉鳳副教授申請學位的學科門類：理學學科專業(yè)名稱：無機化學論文答辯日期：2014年5月22日答辯委員會主席：評閱人：年月日摘要摘要本工作主要是采用多步離子交換法在層狀硅酸鹽Magadiite、Octosilicate以及δNa2Si2O5主體材料中形成ZnS、ZnO、CdS以及三元Zn1xCdxS半導體納米粒子，以獲得半導體納米粒子硅酸鹽復合材料。各種技術包括Xray射線（XRD）、誘導藕合等離子體（ICP

3、）、CHN元素分析、熱重分析（TG）、紅外光譜（IR）、掃描電子顯微鏡以及能譜（SEMEDX）、光致發(fā)光光譜（PL）、紫外可見漫反射光譜（UVvisDRS）以及透射電子顯微鏡（TEM）等用于復合材料的組成、結構、形貌及光學性質的表征和研究。XRD結果發(fā)現(xiàn)，半導體納米粒子在主體硅酸鹽層間形成后，硅酸鹽的層間距明顯增大；PL和紫外可見漫反射譜表明，半導體納米粒子被包入主體硅酸鹽后，PL發(fā)光峰或紫外可見漫反射邊發(fā)生了明顯的移動；紅外光譜結果表

4、明，Magadiite或Octosilicate層狀硅酸鹽經質子化、以及Zn（或Cd）離子交換后，其層板結構并沒有明顯受損；TEM結果顯示，主體硅酸鹽中包裹的半導體納米粒子的尺寸為2.5~5.0nm。這些研究結果表明，半導體納米粒子在層狀硅酸鹽主體材料中原位形成后，其粒子尺寸明顯被主體層板限制，從而導致其光學性質也發(fā)生明顯的變化。半導體納米粒子ZnS、CdS、Zn1xCdxS、ZnO被插入層狀主體硅酸鹽中后，其化學穩(wěn)定性（耐酸、耐堿、抗