GaN基紫外LED的p層外延工藝優(yōu)化.pdf_第1頁
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文檔簡(jiǎn)介

1、近年來, GaN基紫外LED作為一種長(zhǎng)壽命、小體積、可替代傳統(tǒng)汞紫外燈的綠色光源正日益受到國(guó)內(nèi)外的廣泛關(guān)注。但目前GaN基紫外LED的發(fā)光效率低和可靠性差,其還遠(yuǎn)不能滿足所有紫外光應(yīng)用的需求。因此,提高G aN基紫外L ED的光電性能和可靠性的研究顯得尤為重要。本文通過優(yōu)化p層外延工藝來改善Ga N基紫外LED的光電性能和可靠性。進(jìn)行的一系列p層優(yōu)化實(shí)驗(yàn)包括:優(yōu)化作為p型Mg摻雜源的Cp2Mg的流量,優(yōu)化電子阻擋層結(jié)構(gòu)以及在p層中插入p

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