基于二元氧化物阻變存儲(chǔ)器的研究.pdf

1、代號(hào)代號(hào)分類號(hào)分類號(hào)學(xué)號(hào)學(xué)號(hào)密級(jí)密級(jí)10701TN4公開公開1111122775題（中、英文）（中、英文）目基于二元氧化物基于二元氧化物阻變存儲(chǔ)器的研究阻變存儲(chǔ)器的研究ResearchonResistiveSwitchingMemyBasedonBinaryOxides作者姓名作者姓名楊龍康楊龍康高海霞高海霞副教授副教授工學(xué)工學(xué)提交論文日期提交論文日期二〇一四年一月二〇一四年一月微電子與固體電子學(xué)微電子與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師姓名指導(dǎo)教師姓

2、名、職稱職稱學(xué)科門類學(xué)科門類學(xué)科、專業(yè)學(xué)科、專業(yè)摘要摘要存儲(chǔ)器與人們的生活密切相關(guān)，非揮發(fā)性存儲(chǔ)器則占據(jù)了存儲(chǔ)器市場(chǎng)的百分之九十以上。Flash代表著當(dāng)今應(yīng)用最為廣泛的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)的絕大份額。然而，基于傳統(tǒng)浮柵結(jié)構(gòu)的Flash技術(shù)遭遇到了嚴(yán)重的技術(shù)瓶頸，嚴(yán)重的影響了Flash的進(jìn)一步廣泛應(yīng)用。一些基于其它原理實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)功能的新型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器近年來得到了人們?cè)絹碓蕉嗟年P(guān)注。而RRAM作為這種新型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中的一員

3、，憑借其高讀寫速度、低功耗、高集成度、低成本等優(yōu)勢(shì)成為下一代主流存儲(chǔ)器的重點(diǎn)研究對(duì)象。本文將研究RRAM的注意力集中在二元金屬氧化物材料上，因?yàn)槠浣M份簡(jiǎn)單且制備工藝與目前的CMOS制程相兼容。主要開展了基于TiO2、TiO2Al2O3、La2O3材料RRAM器件電阻轉(zhuǎn)變特性以及電阻轉(zhuǎn)變機(jī)制方面的研究。論文首先對(duì)RRAM阻變存儲(chǔ)器的基本原理，結(jié)構(gòu)和研究現(xiàn)狀進(jìn)行了簡(jiǎn)單的論述。目前世界范圍內(nèi)對(duì)RRAM研究仍然停留于初始階段，本課題實(shí)驗(yàn)過程中首