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文檔簡介
1、在工業(yè)應用領域,尤其是在金剛石膜的沉積過程中,諧振腔的品質參數(shù)一直是制約金剛石膜的質量以及沉積速度的關鍵因素。傳統(tǒng)的提高MPCVD諧振腔品質參數(shù)的方法是通過調節(jié)諧振腔的外觀尺寸或控制輸入功率,但由于傳統(tǒng)方法的局限性,致使MPCVD諧振腔的諧振頻率、品質因數(shù)、電磁場的分布以及輸出功率無法得到大幅度的提高。為了進一步改進MPCVD的品質參數(shù),本文引入性質與傳統(tǒng)材料具有一定差別的“左手材料”。根據(jù)“左手材料”有別于傳統(tǒng)介質的特殊性質,通過FD
2、TD理論計算與HFSS模擬仿真相結合的方法,對影響MPCVD諧振腔品質參數(shù)的因素進行分析整理,研究填充介質的材料屬性與諧振腔的電磁場分布、品質因數(shù)、諧振頻率的關系,總結各個因素的作用效果以及作用機理。重點探究填充介質的材料屬性與諧振腔品質因數(shù)、諧振頻率、輸出功率以及等離子體分布的關系。數(shù)據(jù)分析結果與仿真結果顯示:左手材料的填充可以改善諧振腔內部電磁場的分布情況,提高諧振腔的諧振頻率以及品質因數(shù)。相較于傳統(tǒng)材料而言,左手材料可以使諧振腔內
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