Ga摻雜ZnO薄膜與納米結(jié)構(gòu)材料的制備及其光電性能.pdf

1、氧化鋅是一種寬禁帶n型半導(dǎo)體材料，激子束縛能比較大，具有良好的導(dǎo)電性能和優(yōu)良的光電特性。研究發(fā)現(xiàn)，摻雜可以進(jìn)一步提高氧化鋅材料的光學(xué)、電學(xué)性能，使其在光電器件領(lǐng)域具有更廣泛的應(yīng)用。本文采用溶膠-凝膠法在石英片上制備鎵摻雜氧化鋅薄膜，將其作為種子層進(jìn)一步用高聚物輔助化學(xué)水溶液法合成鎵摻雜氧化鋅半導(dǎo)體材料，研究了產(chǎn)物的形貌、結(jié)構(gòu)、光學(xué)性能以及光電流變化。
　　本研究主要內(nèi)容包括：⑴利用溶膠凝膠法制備出Ga摻雜ZnO薄膜，對(duì)薄膜的形貌、

2、結(jié)構(gòu)、熒光性能和光學(xué)透過(guò)率進(jìn)行了測(cè)試，研究了不同退火溫度對(duì)鎵摻雜氧化鋅薄膜的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響。結(jié)果表明：當(dāng)其他條件相同時(shí)，退火溫度會(huì)影響薄膜的結(jié)晶質(zhì)量、形貌以及光學(xué)性能。⑵通過(guò)低溫化學(xué)水溶液法用PEG400輔助劑在Ga摻雜ZnO種子層上制備Ga摻雜ZnO納米結(jié)構(gòu)。樣品的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能會(huì)隨合成溫度從50℃到80℃升高而發(fā)生改變。在相對(duì)低溫下制備出納米片結(jié)構(gòu)，而在相對(duì)高溫下則制備出納米柱結(jié)構(gòu)。在60℃合成的具有優(yōu)質(zhì)納米片形貌的樣品和其他